На этой неделе Samsung объявила, что освоила серийное производство 8-гигабитных микросхем памяти типа DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM с использованием техпроцесса «10-нм класса». Как пишет CNET, данная память является главным претендентом на применение в iPhone следующего поколения, которые будут представлены осенью этого года.
Микросхемам памяти переход на более совершенные технологические процессы нужен для того же, для чего и центральным процессорам: снижения себестоимости производства и энергопотребления, повышения плотности и быстродействия. Samsung применяет технологию 10-нанометрового класса при производстве чипов DDR4 ёмкостью 8 Гбит. На их основе будут выпускаться энергоэффективные модули оперативной памяти, поддерживающие высокую скорость передачи информации (заявлены 3200 Мбит/с).
Надо сказать, что формулировка техпроцесса «10-нм класса» подразумевает, что Samsung может использовать как 10-нм техпроцесс, так и 19-нм техпроцесс – номинально, они относятся к одному «разряду». По некоторым неофициальным данным, использовался 18-нм техпроцесс.
Samsung признаёт, что прогресс потребовал от компании преодоления некоторых технических барьеров. Например, в условиях отсутствия оборудования для литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV), пришлось совершенствовать имеющиеся методы. Погружная литография с применением аргонового лазера, четырёхкратное использование шаблонов и напыление сверхтонкого слоя диэлектрика – вот какие новшества Samsung удалось применить при выпуске микросхем DDR4 по технологии «10-нм класса».
В итоге, выпускаемая память не только увеличила скорость с DDR4-2400 до DDR4-3200, но и снизила уровень энергопотребления на 10-20% по сравнению с аналогичными микросхемами «20-нм поколения».
Samsung является единственным поставщиком оперативной памяти для iPhone 6s и iPhone 6s Plus, в которой реализована технология 20-нанометрового класса.
